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漏電流IL

漏電流(mA)也稱等待電流，是指壓敏電阻器在規(guī)定的溫度和直流過壓敏電阻器電流。IEC對漏電流 IL較為普遍的定義是：環(huán)境溫度25℃時，在壓敏電阻上施加其所屬規(guī)格的連續(xù)直流工作電壓UDC時，流過壓敏電阻的直流電流。

一般而言，在材料配方和燒結(jié)工藝固定的情況下，漏電流適中的壓敏電阻具有較好的安全性和較長的壽命。

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氧化鋅壓敏電阻因具有良好的非線性特性而成為低壓電源系統(tǒng)和信息系統(tǒng)中電涌防護的主要設施。其可靠性主要取決于壓敏電阻耐受電涌沖擊的能力。一個性能良好的氧化鋅壓敏電阻在經(jīng)受電涌沖擊以后,其電氣特性應返回到初始狀態(tài)。然而在運行過程中,由于經(jīng)受諸如電應力、機械應力等各種應力的作用,壓敏電阻會出現(xiàn)性能劣化和老化現(xiàn)象,這就降低了壓敏電阻電涌防護的能力。研究人員采用了多種測量及診斷裝置來研究壓敏電阻的老化機理及檢測金屬氧化物壓敏電阻內(nèi)部的狀態(tài)[1～2]。一般經(jīng)常采用的方法是測量直流1mA下壓敏電阻兩端的電壓或者測量壓敏電阻在一定幅值8/20電流沖擊下的殘壓來對壓敏電阻的電氣性能進行分析判斷。但是這些測試方法只能反映壓敏電阻的整體性能,不能反映壓敏電阻的老化及劣化的程度,所以無法為判斷壓敏電阻的性能狀態(tài)提供可靠的判據(jù)。

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壓敏電阻交流作用下的老化機理

交流作用下。在正半周時，假設右側(cè)為正極性，電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上，使右側(cè)的Zni向晶界遷移，而左側(cè)所加電壓很低，Zn

i向晶粒內(nèi)遷移不大；在負半周，電壓主要加在左側(cè)，使左側(cè)Zni向晶界遷移，右側(cè)這時所加電壓很低，Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大。總的結(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。

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